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          1. 研發設施

            研究與中試條件一、工程研發能力

             

            “柔性制造”平臺:模塊化、知識密集、可變尺度和可快速配置。業內規?;?、跨尺度、可快速配置的微納微加工與制造條件。

            1、微納結構制備(圖形化):幅面42寸、0.25um分辨率、1.5um線寬以上任意圖形;幅面42寸、100nm及以上特征結構的納米結構。

            擁有大型紫外微圖形無掩模直寫系統(iGrapher820)、超大型(65”)激光直寫光刻系統(MiScan1500系統)、大型微納米混合光刻直寫系統(HoloScanV);精密電鑄系統,激光刻蝕系統、激光簽注系統;紫外納米光子晶體直寫系統(HoloMakerIIIc)、高速紫外圖形直寫系統,多軸激光并行光刻系統(MicroLab100);大型紫外接近式曝光系統(EXPOSURE-Scan)。

            2、納米壓印工藝
            柔性納米壓印模板
            200nm點陣以上周期結構,1微米以上結構復制、微流控、生物芯片。
            PMMA、PC、PET材料:壓印器件,微納結構壓印薄膜
            UV coating 膠

            擁有UV卷對卷納米壓印設備7套;熱壓納米壓印設備套、納米轉移設備,濺射與熱蒸發蒸鍍設備以及相關其他設備。

            3、LIGA工藝、激光刻蝕
            深紋精密模具:線寬10um-200um,深度5um-100um
            觸摸屏、太陽能電池電極等精密印刷Ni網版
            圖形刻蝕(矩陣、蜂窩、棋盤、圓形、直線等)
            位相光柵、衍射元件、全息圖、精密圖形、MEMS
            LED導光logo、3D成像、空間動感成像(懸浮成像)

            4、微結構器件
            Micro-structure patterns
            基材:PC,Si,石英等
            圖形分辨率1um,深寬比可達5:1,尺寸100mmx100mm
            用于二元光學位相結構
            微流控芯片、生物芯片等。

            擁有精密電鑄系統、激光直接刻蝕系統、激光簽注系統;納米壓印設備、輥筒激光刻蝕設備、大尺寸平板激光刻蝕設備等。

            二、工程化設備

            具有微納加工、柔性材料與器件、跨尺度微納裝備的光、機、電、算工藝一體化實驗和中試條件,可全方位為客戶和合作方提供服務和方案支持。

            • 寬幅激光全息制版系統(HoloScanVe)
            • 大型微納米混合干涉光刻系統(HoloMakerIIIc)
            • 高速紫外圖形化直寫系統(iGrapher200-810)
            • 雙頭混合紫外激光光刻系統(MiScan)
            • 精密多軸激光并行光刻系統(MicroLab100)
            • 超大型紫外激光掩膜直寫系統(iGrapher150)
            • 紫外納米光子晶體直寫系統(6"-12”)(NanoCrystal)
            • 精密電鑄系統(40"-65”):21套;
            • 大型激光刻蝕系統(平板刻蝕、輥筒刻蝕系統)
            • 激光簽注系統
            • 大型紫外接近式曝光系統(EXPOSURE-Scan)
            • UV卷對卷納米壓印設備(14”-65"
            • 熱壓納米壓印設備
            • 納米涂布與轉移設備
            • 濺射-熱蒸發蒸鍍設備以及相關其他設備
            • 大型光刻膠板涂布設備
            • 激光全息曝光系統
            • 光學檢測平臺
            • 精密絲印設備

            三、核心技術

            1、超大尺寸快速圖形化光刻技術
              
            ●大尺寸紫外激光投影直寫光刻系統
              ●超大尺寸微-納混合圖形化直寫系統 
              ● 多軸微納加工設備(新產品)
              ● LED光子晶體快速光刻系統
            特色:(1)65英寸光掩膜(2um線寬)光刻能力。65英寸300nm周期光子晶體或者納米陷光結構的光刻能力。(2)25寸精密光掩膜(0.5um微米分辨率,1微米線寬;0.25um分辨率,1um線寬);支持大尺寸精密導電電路(2um線寬)的快速直寫光刻。

            2、納米壓印技術與模板制造
              ● UV納米壓印工藝與裝備
              ● 卷對卷納米壓印系統(新產品)

            150納米線寬、300納米周期結構的亞波長光學結構、材料與器件的研發條件。1300nm門幅的納米結構光學薄膜的研發條件。雙面UV納米壓印技術是工程研究中心的特色技術。

            3、顯示材料與器件:微納光學膜新方法
              ● 精密激光刻蝕與模具制備系統:支持32寸導光模具制備

              ● 熱壓型卷對卷納米壓印系統與關鍵工藝技術:超薄LED導光板(擴散復合功能)
              ● 微鏡擴散模具制備技術、
              ● 大尺寸透明導電傳感器

            4、3D成像與顯示:機理和技術
              ●
            3D成像與顯示材料的設計與制備技術:3D
            激光打印系統
              ● 基于微透鏡薄膜的激光空間成像技術
              ● 真彩色立體圖像處理、 三維真彩色顯示屏

             

            四、研究條件(場地)

            6000平米實驗樓,其中,3000平米凈化實驗室。中試線:4000平米中試基地(凈化):柔性制造中試基地(微納光學、光電膜)、微納圖形化與器件加工中試基地(納米圖形化、光子晶體、納米功能器件與材料)。

            五、檢測儀器

            微納設備與檢測儀器:光刻膠涂布、紫外光刻、ICP、IRE、電鑄、納米壓印、激光直寫、超聲清洗;涂布設備、激光蝕刻系統、微納圖形化直寫、蒸鍍設備、UV納米壓印設備、全息實驗系統、薄膜結構轉移、直接熱壓印系統、和大幅面LIGA工藝;臺階儀、金相顯微鏡、3D共焦顯微鏡、原子力顯微鏡和氣相色譜儀等。


             

            技術文檔下載

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